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Resultados 1021-1030 de 3096
Resultados por página:
Nome
Número da peça
Fornecedor
Littelfuse
Descrição
SOT035P100X100-05
Colaboração de
Empresa
Etteplan Finland Oz
Configurações
Não
Downloads
108
Adicionado em
11 jun, 2019
Número da peça
Fornecedor
TriQuint
Descrição
General DescriptionThe TriQuint TGA2704-SM provides 21 dB of smallsignal gain and 8W of output power across 9-11GHz. TGA2704-SM is designed using TriQuint’sproven standard 0.25μm gate pHEMT 3MI productionprocess.The TGA2704-SM features a ceramic QFN designedfor surface mount to a printed circuit board.Fully matched to 50 ohms and with integrated DCblocking capacitors on both I/O ports, the TGA2704-SM is ideally suited to support both commercialand defense related applicationsLead-free and RoHS compliant.Applications- Marine and Air Radar, Traffic Control- Weather Monitoring- Port Security- Point-to-Point Radio- CommunicationsProduct Features- Frequency Range: 9 - 11 GHz- Saturated Output Power: 39 dBm- Small Signal Gain: 21 dB- Bias: Vd = 9 V, Idq = 1.05 A, Vg = -0.74 V typical
Colaboração de
Empresa
Speed Design
Configurações
Não
Downloads
71
Adicionado em
10 jun, 2019
Número da peça
Fornecedor
CREE
Descrição
CGHV96100F2100 W, 8.4 - 9.6 GHz, 50-ohm, Input/Output Matched GaN HEMTCree’s CGHV96100F2 is a gallium nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor(HEMT) on Silicon Carbide (SiC) substrates. This GaN Internally Matched (IM) FEToffers excellent power added efficiency in comparison to other technologies. GaNhas superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higherbreakdown voltage, higher saturated electron drift velocity and higher thermalconductivity. GaN HEMTs also offer greater power density and wider bandwidthscompared to GaAs transistors. This IM FET is available in a metal/ceramic flangedpackage for optimal electrical and thermal performance.
Colaboração de
Empresa
Speed Design
Configurações
Não
Downloads
119
Adicionado em
9 jun, 2019
Descrição
Power Splitter/Combiner3 Way-0° 50Ω 1 to 300 MHz
Colaboração de
Empresa
Speed Design
Configurações
Não
Downloads
66
Adicionado em
22 mai, 2019
Descrição
Nenhum fornecido
Colaboração de
Empresa
SFU
Configurações
Sim
Downloads
259
Adicionado em
8 jun, 2019
Descrição
Nenhum fornecido
Colaboração de
Empresa
SFU
Configurações
Sim
Downloads
185
Adicionado em
8 jun, 2019
Descrição
Nenhum fornecido
Colaboração de
Empresa
SFU
Configurações
Sim
Downloads
122
Adicionado em
8 jun, 2019
Nome
Descrição
uQFN package, MAX dimensions: 2.25(L) x 1.4(W) x 0.5(H), 10 pins.
Colaboração de
Empresa
Topcon Agriculture
Configurações
Não
Downloads
172
Adicionado em
3 jun, 2019
Nome
Descrição
Diode Body MicroSMA used by Taiwan Semiconductor
Colaboração de
Empresa
exelonx
Configurações
Não
Downloads
64
Adicionado em
1 jun, 2019
Número da peça
Fornecedor
MACOM
Descrição
Designed for wideband large signal amplifier and oscillator applicationsUp to 400 MHz range, in single-ended configurationN–Channel enhancement mode- Guaranteed 28 volt, 150 MHz performanceOutput power = 15 wattsNarrow band gain = 16 dB (Typ.)Efficiency = 60% (Typ.)- Small– and large–signal characterization- 100% tested for load mismatch at all phase angles with 30:1 VSWR- Excellent thermal stability, ideally suited for Cass A operation- Facilitates manual gain control, ALC and modulation techniques
Colaboração de
Empresa
Speed Design
Configurações
Não
Downloads
84
Adicionado em
25 mai, 2019